IPD50P04P4L11ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD50P04P4L11ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.58 |
10+ | $1.416 |
100+ | $1.1039 |
500+ | $0.9119 |
1000+ | $0.7199 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 85µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-313 |
Serie | Automotive, OptiMOS™-P2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 58W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD50 |
IPD50P04P4L11ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD50P04P4L11ATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
TO-252
INFINEON TO252
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
INFINEON TO-252
IPD50P04P4L-11 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
INFINEON TO252
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IPD50R280CE Infineon Technologies
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2024/04/18
2024/04/26
2024/05/28
2024/11/15
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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